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J-GLOBAL ID：200903004627711469

半導体装置の製造方法

Inventor： 池上 昌之
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002049514
Publication number (International publication number)：2003249483
Application date： Feb. 26, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 エッチングの終点判定が容易な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)酸化シリコン層10の上に、シリコン層20および高融点金属のシリサイド層30が順次積層された積層体を形成する工程、(b)シリサイド層30をエッチングする工程、(c)工程(b)の後に、シリコン層20をエッチングする工程を含む。工程(b)で使用されるエッチングガスは、フッ化硫黄を含む。

Claim 1：

(a)第1層および第2層が順次積層された積層体を形成する工程、(b)前記第2層をエッチングする工程、(c)前記工程(b)の後に、前記第1層をエッチングする工程を含み、前記工程(b)で使用されるエッチングガスには、前記エッチングレートの面内均一性を高めるための添加ガスが添加され、前記工程(b)および工程(c)のエッチングの終点判定は、所定の発光波長の発光強度に基づいて行われる、半導体装置の製造方法。

F-Term (9)：

5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB18