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J-GLOBAL ID：200903004642693744

炭素合金化立方晶窒化ホウ素膜

Inventor： ゲーリー・リン・ドール
Applicant, Patent owner： ゼネラル・モーターズ・コーポレーション
Agent (1)： 伊澤 宏一郎 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090087
Publication number (International publication number)：1995187883
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【構成】 下層のシリコン基板上に炭素で合金化した立方晶窒化ホウ素の薄膜を付与する方法であって、レーザアブレーション法を用いて、炭素で合金化した立方晶窒化ホウ素を沈着する。この炭素合金化窒化ホウ素膜の結晶格子定数は、所望の膜組成及び処理パラメータに応じて変更可能である。この結果得られる薄膜の組成は化学式(BN)1-xCxなる特徴を有し、xは約0.2であることが好ましい。【効果】 この膜は広範な温度にわたる耐摩耗用途及び半導体用途に特に好適である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板を準備し、前記シリコン基板の近くに窒化ホウ素ターゲットを配置し、前記の窒化ホウ素ターゲットを解離して蒸発させるために十分なパラメータで動作するレーザを用いて前記ターゲットの蒸発を誘起し、前記の蒸発した窒化ホウ素材料が前記基板の表面上に沈着して窒化ホウ素の薄膜層を前記表面上に形成するような窒化ホウ素の薄膜を形成する方法であって、炭素で合金化した六方晶配向の窒化ホウ素から前記ターゲットを形成し、エキシマレーザパルスを用いて前記ターゲットの蒸発を誘起し、かつ、蒸発した材料が前記基板の表面上に沈着して前記表面上に電気絶縁層である炭素合金化立方晶窒化ホウ素の薄膜を形成することを特徴とする方法。

IPC (3)：

C30B 23/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34