Pat
J-GLOBAL ID：200903004650145624
電子放出素子の製造方法、ならびにこの電子放出素子を備えた電子源および画像形成装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996170760
Publication number (International publication number)：1997330657
Application date： Jun. 11, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 大面積にわたって容易かつ低コストで均一な特性の電子放出素子を形成する。【解決手段】 絶縁性基体上に形成された対向する一対の素子電極と、その間に形成された電子放出部を有する導電性薄膜とを有する表面伝導型電子放出素子を製造するに際し、前記導電性薄膜を有機金属薄膜の熱分解によって形成するとともに、その有機金属薄膜202はあらかじめ別の基体201上にLangmuir-Blodgett 法により形成し、その基体から前記絶縁性基体1上に移し取る。
Claim (excerpt)：
基体上に形成された対向する一対の素子電極と、その間に形成された電子放出部を有する導電性薄膜とを有する電子放出素子の製造方法であって、前記導電性薄膜を有機金属薄膜の熱分解によって形成する電子放出素子の製造方法において、前記有機金属薄膜はあらかじめ別の基体上にLangmuir-Blodgett 法により形成し、その基体から前記基体上に移し取ることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
