Pat
J-GLOBAL ID：200903004654012572

不揮発性メモリ

Inventor：
渡邉 謙一

About 渡邉 謙一


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002176202
Publication number (International publication number)：2004030702
Application date： Jun. 17, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】書き換え禁止領域を自由に設定することができる不揮発性メモリを提供する。【解決手段】アドレス信号ADはロウデコーダ10で解読され、選択されたワード線WLiが“H”となり、高電圧印加デコーダ40に伝えられる。禁止情報設定部60には、メモリセルアレイ30中のメモリセルの書き換えを禁止または許可する情報が設定され、ワード線WLi単位にセキュリティ信号SEQiが出力されている。書き換えが許可されたワード線WLiが選択されると、高電圧印加デコーダ40内のラッチがセットされ、次の書き換えタイミングで該当するワード線WLiに書き換え用の高電圧VPPが出力される。書き換えが許可されていないワード線WLiの場合、ラッチがセットされず、ワード線WLiには書き換え用の高電圧VPPが出力されない。【選択図】 図1
Claim 1：
アドレス信号を解読して複数のワード線の内の1つを選択するデコード回路と、前記複数のワード線とこれに交差するビット線の各交差箇所に、浮遊ゲートに蓄積される電荷によって記憶データを保持する不揮発性のメモリセルが設けられたメモリセルアレイと、前記メモリセルの記憶データの書き換え時に高電圧を供給する高電圧印加回路とを有する不揮発性メモリにおいて、 前記複数のワード線毎にそのワード線に接続されたメモリセルの書き換えを許可するか否かの設定情報を記憶する記憶回路を設けると共に、 前記高電圧印加回路は、 前記複数のワード線毎にそのワード線に接続されたメモリセルを書き換えるか否かの情報を保持するラッチ部と、 前記記憶回路で書き換え許可の情報が設定されたワード線に対して前記デコード回路から選択信号が出力されたときに、そのワード線に対応する前記ラッチ部の情報をセットするセット部と、 前記メモリセルの書き換え時に、前記ラッチ部に保持された情報に従って前記ワード線に接続されたメモリセルに高電圧を供給する出力部とを、 備えたことを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (2)：
G11C16/02 ,  G11C16/06
FI (3)：
G11C17/00 601P ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 633D
F-Term (5)：
5B025AA01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体不揮発性記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340060   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開昭64-043897
Cited by examiner (3)
  • 半導体不揮発性記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340060   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開昭64-043897
  • 特開昭64-043897

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM