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J-GLOBAL ID：200903004655521870

シリコンの鋳造法

Inventor： 才田 英明 ,  湯本 芳明 ,  山谷 宗義
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995340125
Publication number (International publication number)：1997175809
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 離型材を複数層塗布しなければならなかったり、離型材が鋳型に付着したり、シリコンの鋳塊が鋳型に付着して欠落するという問題があった。【解決手段】 鋳型の内表面に離型材を塗布してシリコン融液を注湯するシリコンの鋳造法において、前記離型材として窒化シリコンと二酸化シリコンを28:72〜75:25の重量比率で混合したものを用いる。

Claim (excerpt)：

鋳型の内表面に離型材を塗布してシリコン融液を注湯するシリコンの鋳造法において、前記離型材として窒化シリコンと二酸化シリコンを28:72〜75:25の重量比率で混合したものを用いることを特徴とするシリコンの鋳造法。

IPC (3)：

C01B 33/02 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/18

FI (3)：

C01B 33/02 E ,  C30B 29/06 Z ,  H01L 21/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭62-108515