Pat
J-GLOBAL ID：200903004656664518
半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004079543
Publication number (International publication number)：2005268562
Application date： Mar. 19, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】 素子の製造の困難性を回避しながら、素子の放熱性を向上させることにより、素子の温度特性を向上させ、これによって、素子の信頼性を向上させる。 【解決手段】 活性層14の上方に位置するリッジ1の側方にサポート2・2を形成する。リッジ1の中心からサポート2・2におけるリッジ1側の端までの距離を、20μmよりも大きく、50μm未満に設定する。これにより、リッジ-サポート間距離が、従来の70μmに比べて十分に短くなり、活性層14にて発生した熱を、リッジ1およびサポート2・2を介して外部(例えばサブマウントを介して保持体)に放散することができる。その結果、素子の放熱性が向上するので、活性層14での温度上昇が抑制され、素子の温度特性が向上し、素子の信頼性が向上する。また、リッジ-サポート間距離は20μmよりも大きいので、リッジ-サポート間のエッチングに支障をきたすことはない。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、
前記リッジの中心から前記サポートにおける前記リッジ側の端までの距離が、20μmよりも大きく、50μm未満に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
5F173AA08
, 5F173AG05
, 5F173AH06
, 5F173AK21
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR72
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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