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J-GLOBAL ID：200903004657889530

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 小出 典克
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000396324
Publication number (International publication number)：2002198560
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】クラックの発生が防止されて、高輝度であって長寿命である。【解決手段】Si基板11上に、複数の開口部を有する絶縁膜18が設けられており、絶縁膜18の各開口部18aに、窒化物半導体材料によって発光層を有する柱状多層構造体20が形成されている。絶縁膜18上には、各柱状多層電極体同士を相互に電気的に接続する透明電極16が、絶縁膜18のほぼ全体にわたって設けられている。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体材料によって発光層を有する積層構造にそれぞれが形成された複数の柱状多層構造体が、シリコン基板上に、相互に絶縁状態で設けられており、各柱状多層電極体同士が電極によって相互に接続されていることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (10)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041FF01