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J-GLOBAL ID:200903004663831225

レーザーを用いたスクライブ法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000181442
Publication number (International publication number):2001058281
Application date: Jun. 16, 2000
Publication date: Mar. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ガラスカッターホイールを用いた従来のスクライブ法に従ってレーザースクライブを行うと、スクライブラインの直交する個所で大きなクラックが発生する。【解決手段】 脆性材料の基板にレーザーを照射して熱歪により基板に垂直クラックを形成するためのスクライブ法は、第1の方向に垂直クラックを形成するステップと、その後、第1の方向と直交する第2の方向に垂直クラックを形成するステップとからなる。第2の方向に垂直クラックを形成するステップにおいて、第1の方向の垂直クラック深さよりも第2の方向に形成する垂直クラック深さを浅くする。たとえば、第2の方向へのスクライブ時には、第1の方向へのスクライブ時に比べて単位時間あたりの単位面積あたりのレーザービームの照射エネルギーを減らす。
Claim (excerpt):
脆性材料の基板にレーザーを照射して熱歪により基板に垂直クラックを形成するためのスクライブ法において、第1の方向に垂直クラックを形成するステップと、その後、第1の方向と直交する第2の方向に垂直クラックを形成するステップとからなり、第2の方向に垂直クラックを形成するステップにおいて、第1の方向の垂直クラック深さよりも第2の方向に形成する垂直クラック深さを浅くすることを特徴とするレーザーを用いたスクライブ法。
IPC (3):
B23K 26/00 ,  C03B 33/09 ,  B23K101:40
FI (3):
B23K 26/00 D ,  B23K 26/00 N ,  C03B 33/09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭53-025997

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