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J-GLOBAL ID：200903004672772908

半導体発光装置

Inventor： 小原 邦彦 ,  前田 俊秀 ,  日高 浩司 ,  山口 和也
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997269579
Publication number (International publication number)：1999112034
Application date： Oct. 02, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光素子からの配光性を常に一定に設定できるようにして製作誤差の影響を受けずに良好な発光表示パネルが得られる発光装置を提供する。【解決手段】 結晶基板4aの上にp-n接合の半導体層を積層した発光素子4と、この発光素子4を搭載するマウント3を一体に備えて発光素子に電気的に導通させるリードフレーム1とを備え、マウント3は、発光素子4をその光取出し面のうち発光輝度が最も高い主光取出し面が埋没する程度の深さの凹状体とするとともに、発光素子4の少なくとも一面からの光に対して指向性を与える反射光を付与可能な反射面構造を備え、主光取出し面からの光や透明の結晶基板4aの場合であればその側方及び背部側への光も含めてマウント3の反射面から指向性を持たせた光の配光を可能とする。

Claim (excerpt)：

結晶基板の上にp-n接合の半導体層を積層した発光素子と、この発光素子を搭載して電気的に導通させる搭載導通部材とを備え、搭載導通部材には、発光素子の光取出し面が埋没する程度の深さの凹状体とするとともにその内面を光反射面としたマウントを形成した半導体発光装置であって、マウントには、発光素子の最も発光輝度が高い主光取出し面からの主光軸を含む平面に対して、発光素子の主光軸方向以外の放出光を一定の範囲の入射交差角度をもつ方向に反射させる反射面構造を備えてなる半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217594   Applicant：日亜化学工業株式会社