Pat

J-GLOBAL ID：200903004677689960

プラズマエッチング装置

Inventor： 松井 哲也 ,  土田 一輝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038096
Publication number (International publication number)：1995249610
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【構成】高周波により平行平板電極間にプラズマを生成し、イオンを引き出してエッチングする装置において、高周波印加装置はプラズマに共鳴する高周波を発振する。その高周波印加装置からの高周波が電極から反射するのを抑えるためにインピーダンス整合をとる整合器を用いる。ここで、整合器とイオン打込み電極との間に、共鳴周波数を制御するため、可変コンデンサ、または可変コイル、或いはその双方からなる回路を設ける。一方、真空容器内の中性ガス圧力は真空計で測定され、その値を真空度制御装置で検知し、適切な値となるよう流量制御弁を制御する。そのようにして平行平板間に生成されたプラズマから出てくるイオンを電極面上に設置したウェハに照射し、エッチングを行う。【効果】大面積,密度一様のプラズマを低いガス圧下で生成し、かつ、低エネルギのイオンをプラズマから引き出すことができる。

Claim (excerpt)：

半導体製造用のウェハをエッチングするために、高周波を平板電極に印加してプラズマを生成する装置において、電極間のプラズマに共鳴するRF周波数を印加するRF印加装置と、前記平板電極間にプラズマの共鳴条件を作り出すために、前記平板電極の長手方向に平行な磁場を印加する磁場印加装置と、エッチング用のプラズマを生成するためのガスの流量を制御する装置と、真空容器内の前記真空度測定装置と、前記真空度測定装置の測定信号を検知し、その測定した真空度があらかじめ設定した前記ガス密度がプラズマを維持するために十分な密度となるように、前記ガス流量制御装置を制御する真空度制御装置を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/08 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 A