Pat

J-GLOBAL ID：200903004678774295

シクロブテンジオン誘導体結晶の製造方法

Inventor： 友野 孝夫 ,  夫 龍淳
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992260634
Publication number (International publication number)：1994087802
Application date： Sep. 04, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光波長変換素子として使用可能な大きなサイズのシクロブテンジオン誘導体の単結晶を製造する方法を提供する。【構成】 下記構造式(I)【化1】(式中、*は不整炭素原子を意味する。)で示されるシクロブテンジオン誘導体を極性溶媒中に溶解し、雰囲気温度10〜40°Cの範囲において、温度変動幅を±1°C以内に保ちながら、1分間に0.1〜100mm3 の蒸発速度で溶媒を蒸発させることによりシクロブテンジオン誘導体の単結晶を製造する。

Claim (excerpt)：

下記構造式(I)【化1】(式中、*は不整炭素原子を意味する。)で示されるシクロブテンジオン誘導体を極性溶媒中に溶解し、雰囲気温度10〜40°Cの範囲において、温度変動幅を±1°C以内に保ちながら、1分間に0.1〜100mm3 の蒸発速度で溶媒を蒸発させることを特徴とするシクロブテンジオン誘導体結晶の製造方法。

IPC (2)：

C07C225/22 ,  C07C221/00