誘電体素子の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998132322
Publication number (International publication number)：1999330050
Application date： May. 14, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】側壁残渣の発生が少なく、寸法シフトを最小限に抑えることができ、高融点金属層とその下部層との選択比に優れ、かつ、均一性に優れた誘電体素子の形成方法を提供する。【解決手段】誘電体素子の形成方法は、A.半導体基板1上に拡散バリア層3と電極層4とをこの順で備える積層電極上に、あるいは、半導体基板上に密着層と拡散バリア層3と電極層とをこの順で備える積層電極上に、マスクとなる耐エッチング膜5をパターニングする工程と;B.耐エッチング膜5に覆われていない領域の積層電極をドライエッチングする工程とを含む。

Claim (excerpt)：

A.半導体基板上に拡散バリア層と電極層とをこの順で備える積層電極上に、あるいは、半導体基板上に密着層と拡散バリア層と電極層とをこの順で備える積層電極上に、マスクとなる耐エッチング膜をパターニングする工程と;B.該耐エッチング膜に覆われていない領域の該積層電極をドライエッチングする工程とを含み、該ドライエッチング工程Bが、a.第1ハロゲンガス、第2ハロゲンガス、またはそれらの混合ガスから選択されるエッチングガスを用いて所定の深さまで該電極層をドライエッチングする工程と;b.第3ハロゲンガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いて該電極層をドライエッチングし、該拡散バリア層を露出させる工程と;c.第4ハロゲンガス、第5ハロゲンガス、またはそれらの混合ガスから選択されるエッチングガスを用いて該拡散バリア層をドライエッチングする工程とを含む、誘電体素子の形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/306 , H01L 21/3213 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 A , H01L 27/10 451 , H01L 21/306 S , H01L 21/88 D , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭62-092323
Pt膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-175364 Applicant：シャープ株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059696 Applicant：ローム株式会社, 株式会社プラズマシステム

Show all

Return to Previous Page