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J-GLOBAL ID：200903004696562513
薄膜熱電対素子とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250228
Publication number (International publication number)：1994104494
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 熱電対素子に関し、従来の熱電対における金属線を薄膜化することで熱電対素子としての小型化と温度感知精度向上とを図ることを目的とする。【構成】 機器装置内部における温度感知所要域や発熱体表面の温度を検出する熱電対素子であって、絶縁基板の片面所定領域に、外部接続用の電極32a を一端に具えてパターニング形成された薄膜状の第1の導体32と該第1の導体32と異なる材料からなり一端が上記第1の導体32の他端部で接すると共に他端に外部接続用の電極34a を具えてパターニング形成された薄膜状の第2の導体34とを少なくとも形成して構成する。
Claim (excerpt)：
機器装置内部における温度感知所要域や発熱体表面の温度を検出する熱電対素子であって、絶縁基板の片面所定領域に、外部接続用の電極(32a) を一端に具えてパターニング形成された薄膜状の第1の導体(32)と該第1の導体(32)と異なる材料からなり一端が上記第1の導体(32)の他端部で接すると共に他端に外部接続用の電極(34a) を具えてパターニング形成された薄膜状の第2の導体(34)とが少なくとも形成されて構成されていることを特徴とした薄膜熱電対素子。
IPC (3)：
H01L 35/32
, G01K 7/02
, H01L 35/34
