Pat

J-GLOBAL ID：200903004708229378

半導体装置

Inventor： 松野 年伸 ,  曽根高 真一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 中島 司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002027137
Publication number (International publication number)：2003229488
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の表面や上部領域を伝播してくる高周波域における漏洩信号を遮蔽し、形成された高周波回路ブロック間における高周波域における相互干渉を抑制することにより、素子分離特性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1において、第1のシールド構造体71は、無線送信ブロック30をリング状に取り囲むように列設された複数のコンタクトホール711から構成されている。また、第2のシールド構造体72を構成する複数のコンタクトホール721は、絶縁層20の内部において、無線送信ブロック30と無線受信ブロック40との間を結ぶ直線の内、上記第1のシールド構造体71の隣り合うコンタクトホール711とコンタクトホール711との間隙を通過する直線を遮るような状態で配置されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の内部から、その表面上に積層された絶縁層にかけて形成されてなる高周波回路ブロックを複数備える半導体装置であって、前記絶縁層には、前記複数の高周波回路ブロックの中から選ばれた少なくとも二つの高周波回路ブロックの間に複数のコンタクトホールが列設された第1のシールド構造体が形成されているとともに、前記第1のシールド構造体のコンタクトホールとコンタクトホールとの間を通って前記二つの高周波回路ブロックを結ぶ直線を遮る状態で、複数のコンタクトホールが列設された第2のシールド構造体が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (3)：

H01L 27/04 H ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/06 321 C

F-Term (32)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK19 ,  5F033NN34 ,  5F033UU04 ,  5F033VV03 ,  5F033XX23 ,  5F038BH09 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CD04 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC05 ,  5F048BA14 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BG14