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J-GLOBAL ID：200903004708787109

圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び圧電体の製造方法

Inventor：
松田 堅義

About 松田 堅義

, 
伊福 俊博

About 伊福 俊博

, 
青木 活水

About 青木 活水


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006226975
Publication number (International publication number)：2007088441
Application date： Aug. 23, 2006
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：
【課題】結晶性が制御されて高い配向性を有し優れた圧電特性を有し、圧電体膜と電極との密着性が高く、膜剥がれが抑制されて耐久性が高い圧電体を提供することにある。また、作動環境の温度が変化しても圧電特性が劣化しない圧電体を得て、これを用いた圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置を提供することにある。【解決手段】一般式ABO3で表される特定のペロブスカイト型酸化物を含む積層構造を有する圧電体であって、該積層構造は、正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶および単斜晶のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第1の結晶相と、これと異なる結晶相で上記結晶相のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第2の結晶相と、第1の結晶相と前記第2の結晶相の間に、結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化する境界相とを有し、全体として単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物(式中、Aサイトの主成分がPbであり、Bサイトの主成分がMg、Zn、Sc、In、Yb、Ni、Nb、Ti及びTaから選ばれる少なくとも3種類の元素を含む。)を含む積層構造の圧電体であって、 該積層構造は、 正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶または単斜晶のいずれかから選択された結晶相を有する層状の第1の結晶相と、 正方晶、菱面体晶、擬似立方晶、斜方晶または単斜晶のいずれかから選択され、かつ前記第1の結晶相の結晶相と異なる結晶相を有する層状の第2の結晶相と、 前記第1の結晶相と前記第2の結晶相との間に、結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化する境界層とを有し、 積層構造全体として単結晶構造または一軸配向結晶構造を有することを特徴とする圧電体。
IPC (7)：
H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  C23C 14/08 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B05C 5/00
FI (8)：
H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 U ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 A ,  C23C14/08 K ,  B41J3/04 103A ,  B05C5/00 101
F-Term (19)：
2C057AF65 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057BA14 ,  4F041AA02 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BC00 ,  4K029CA06 ,  4K029DA12 ,  4K029DC09 ,  4K029DC15 ,  4K029EA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (9)
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