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J-GLOBAL ID：200903004718455023

2次荷電粒子検出方法及びそのシステム並びにイオンビーム加工装置

Inventor： 嶋瀬 朗 ,  東 淳三 ,  濱村 有一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996092145
Publication number (International publication number)：1997283072
Application date： Apr. 15, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】本課題は、荷電ビームを走査してターゲット表面から射出する2次粒子を検出する際に、ターゲット表面の各ビーム照射点の斜面角度ごとに2次粒子信号を取得する。また、2次粒子の収率を向上させるとともにMCP面に広く2次粒子を入射させ斜面情報の分解能を向上させる。【解決手段】MCP4の検出電極3を円周方向に分割し、そこから得られたを処理する。または、MCP4から出た電流を蛍光板30により光に変換して、その光をリニアセンサ31で検出して、そのデータを処理する。収率と入射領域拡大にはMCPアッセンブリの追加および電圧印加とそれらの最適化を実施する。

Claim (excerpt)：

集束された1次荷電粒子をターゲットに照射し、このターゲットから発生する2次荷電粒子を2次荷電粒子増幅機能を有する手段で増幅し、この増幅された2次荷電粒子を、前記1次荷電粒子照射軸を中心にした周辺電極で前記ターゲット上における斜面を強調した2次荷電粒子信号として検出することを特徴とする2次荷電粒子検出方法。

IPC (4)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/252 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/317

FI (4)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/252 B ,  H01J 37/305 A ,  H01J 37/317 D