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J-GLOBAL ID：200903004723445230

静電容量型多軸加速度センサ

Inventor： 日笠 浩一
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 松井 伸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998057359
Publication number (International publication number)：1999242051
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板のサイズを大きくせずに感度性能を向上することができ、加速度の検出を多軸について高精度に行える静電容量型多軸加速度センサを提供すること【解決手段】 固定基板14と半導体基板11と半導体基板12と半導体基板13と固定基板15を下から順に積層する。固定基板14,15はガラス等の絶縁性の板材からなす。半導体基板11,12,13を積層した内側に、エッチングにより内側を分離させて可動電極16を形成し、中央の半導体基板12から複数の梁17を渡して弾性支持する。固定基板15の下面に、5つの第1固定電極51〜55を設けるとともに、固定基板14の上面に、5つの第2固定電極41〜45を設け、両固定電極は合同で対称に形成する。可動電極16の上下両側に静電容量の検出空間を形成するので、静電容量の変化量が大きくなる。

Claim (excerpt)：

絶縁体からなる上下の固定基板の間に3つの半導体基板を積層状態で配置した5層構造を含み、前記両固定基板の接合側表面には、それぞれ複数の固定電極を設け、前記3つの半導体基板は、周枠部と、その周枠部内に分離状態で配置される可動電極要素を有するとともに、各半導体基板の周枠部同士及び可動電極要素同士が接合されて一体化し、かつ、前記可動電極要素が一体化されて構成される可動電極は、その上下両面が可動電極面となって対向する前記固定電極との間で静電容量を発生するとともに、前記中央の半導体基板の周枠部と可動電極要素が複数の梁を介して連結されることにより、前記可動電極が弾性支持され、前記可動電極の移動に伴い前記可動電極と前記複数の固定電極との間に発生する静電容量の変化に基づいて、前記各基板の積層方向とそれに直交する平面内の2方向の計3方向のうち少なくともいずれか2方向の加速度を検出可能としたことを特徴とする半導体容量型多軸加速度センサ。