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J-GLOBAL ID:200903004724825177

シリコン単結晶の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 道雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004130066
Publication number (International publication number):2005306705
Application date: Apr. 26, 2004
Publication date: Nov. 04, 2005
Summary:
【課題】CZ法によるシリコン単結晶の製造において、歩留まりよく安定して、無欠陥部分の採取率をより高くできる製造方法の提供する。【解決手段】(1)CZ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を4min-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。不活性ガスとしてアルゴンガスを用い、その流量を90〜200L/minとすること、または/およびその流速を0.5〜8.0m/secとすることが望ましい。さらに、磁場強さが0.02〜0.09Tであるカスプ磁場を印加することができる。【選択図】なし。
Claim 1:
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、 るつぼの回転速度を4min-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2):
C30B29/06 ,  C30B15/00
FI (3):
C30B29/06 502K ,  C30B29/06 502G ,  C30B15/00 Z
F-Term (11):
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA06 ,  4G077EG21 ,  4G077EH08 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077PA04 ,  4G077RA03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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