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J-GLOBAL ID：200903004737192017

多層配線の製造方法

Inventor： 江口 剛治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991271018
Publication number (International publication number)：1993109908
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スルーホールを大きくすることなく、しかも抵抗値を上げることなく、断線もなく、かつ表面荒れを防止する。【構成】 絶縁膜1上の第1の配線層2上にスルーホールの厚み分に相当する第2の配線層3を形成し、スルーホールに相当する個所のみに第1のレジスト5を残す。次に、この第1のレジスト5をマスクとして第2の配線層3をエッチングしてメタル部3aを形成する。さらに、第1のレジスト5とメタル部3aに第2のレジスト6を残し、第1の配線層2をエッチングしたのち、第1および第2のレジスト5、6を除去する。引き続き、第1の配線層2およびメタル部3aに層間絶縁膜7を形成し、この層間絶縁膜7をエッチバックし前記第2の配線層の上部表面を露呈させる。そして、最後にメタル部3a上部表面上に第3の配線層4を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上に第1の配線層を形成する第1の工程と、この第1の配線層上にスルーホールの厚み分に相当する第2の配線層を形成する第2の工程と、この第2の配線層に写真製版によってスルーホールに相当する個所のみに第1のレジストを残す第3の工程と、この第1のレジストをマスクとして前記第2の配線層をエッチングする第4の工程と、写真製版によって前記第1のレジストと前記第1の配線層に第2のレジストを残す第5の工程と、この第2のレジストによって前記第1の配線層をエッチングする第6の工程と、前記第1および第2のレジストを除去する第7の工程と、前記第1および第2の配線層に層間絶縁膜を形成する第8の工程と、この層間絶縁膜をエッチバックし前記第2の配線層の上部表面を露呈させる第9の工程と、この第2の配線層の上部表面上に第3の配線層を形成する第10の工程とからなる多層配線の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302