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J-GLOBAL ID：200903004737837980

スパッタリングターゲットおよびそれを用いた酸化膜の製造方法

Inventor： 鈴木 幸伸 ,  渡邊 光一 ,  石上 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004031909
Publication number (International publication number)：2005220428
Application date： Feb. 09, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】光学薄膜に好適なSi酸化膜等をスパッタ成膜するにあたって、Si酸化膜等の成膜コストの低減および成膜効率の向上を図る。【解決手段】Si、Ta、Nb、Zr、Hf、Mg、Ca、YおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98%の範囲の相対密度を有する。さらに、Siから実質的になるスパッタリングターゲットは、酸素含有量が0.01〜1質量%の範囲、またビッカース硬さがHv300〜800の範囲とされている。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Si、Ta、Nb、Zr、Hf、Mg、Ca、YおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98%の範囲の相対密度を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C14/34 ,  G02B1/11

FI (2)：

C23C14/34 A ,  G02B1/10 A

F-Term (10)：

2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 反射防止膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335909   Applicant：ソニー株式会社
• 酸化ニオブ焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-149144   Applicant：京セラ株式会社