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J-GLOBAL ID:200903004737837980

スパッタリングターゲットおよびそれを用いた酸化膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004031909
Publication number (International publication number):2005220428
Application date: Feb. 09, 2004
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】光学薄膜に好適なSi酸化膜等をスパッタ成膜するにあたって、Si酸化膜等の成膜コストの低減および成膜効率の向上を図る。【解決手段】Si、Ta、Nb、Zr、Hf、Mg、Ca、YおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98%の範囲の相対密度を有する。さらに、Siから実質的になるスパッタリングターゲットは、酸素含有量が0.01〜1質量%の範囲、またビッカース硬さがHv300〜800の範囲とされている。【選択図】なし
Claim (excerpt):
Si、Ta、Nb、Zr、Hf、Mg、Ca、YおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98%の範囲の相対密度を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2):
C23C14/34 ,  G02B1/11
FI (2):
C23C14/34 A ,  G02B1/10 A
F-Term (10):
2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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