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J-GLOBAL ID：200903004738569211

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 尾方 秀謙
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032293
Publication number (International publication number)：1995240527
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 移動度の高いTFTを得ること。【構成】 絶縁基板1の上にアモルファスシリコン膜2を形成する工程と、このアモルファスシリコン膜2上の所定位置に、Si窒化膜3を形成する工程と、アモルファスシリコン膜2にArレーザ4を照射して、アモルファスシリコン膜2におけるSi窒化膜3の下に多結晶シリコンの結晶核5を形成する工程と、熱処理により結晶核5を固相成長させる工程とを含み、この固相成長領域の少なくとも一部をチャネル領域9として使用するもの。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、このアモルファスシリコン膜上の所定位置に、レーザ等の高エネルギービームの反射防止膜や吸収膜等のマスクを形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜に高エネルギービームを照射して、前記アモルファスシリコン膜における前記マスクの下に多結晶シリコンの結晶核を形成する工程と、熱処理により前記結晶核を固相成長させる工程とを含み、この固相成長領域の少なくとも一部をチャネル領域として使用することを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 311 H