Pat
J-GLOBAL ID:200903004745682988
X線マスクの製造方法及び製造装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996039374
Publication number (International publication number):1997232216
Application date: Feb. 27, 1996
Publication date: Sep. 05, 1997
Summary:
【要約】【課題】 X線マスク基板上に吸収体膜を形成したものから成るX線マスクの製造方法及び製造装置に関し、吸収体膜の応力を簡易な手段で低減することを目的とする。【解決手段】 吸収体膜の面内における応力分布を測定し、この応力分布に応じて該吸収体膜を局所的にアニールするように構成する。
Claim (excerpt):
X線マスク基板上に吸収体膜を形成したものから成るX線マスクの製造方法において、吸収体膜の面内における応力分布を測定し、該応力分布に応じて該吸収体膜を局所的にアニールすることを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G21K 5/02
FI (3):
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, G21K 5/02 X
Return to Previous Page