Pat
J-GLOBAL ID:200903004751957581
透明導電膜
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西 義之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002201194
Publication number (International publication number):2004047216
Application date: Jul. 10, 2002
Publication date: Feb. 12, 2004
Summary:
【課題】耐湿性の優れた安価な透明導電膜を得る。【解決手段】基板表面に、基板側から誘電体層、AgとNdの合金層が交互に積層し、誘電体に窒化物を用いる。例えば、ガラス基板にAlNx(36nm)/AgNd(N)(17.5nm)/AlNx(74nm)/AgNd(N)(17.5nm)/AlNx(74nm)/AgNd(N)(17.5nm)/AlNx(38nm)(かっこ内の数値は厚み)なる7層膜を成形し、周波数30〜1000MHzの電磁波に対し、40dB以上の電磁遮蔽性能が得られる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
基板表面に、基板側から誘電体層、Nd0.1〜10wt%を含有するAgとNdの合金層が交互に積層され、かつ基板から最も離れて積層される層が誘電体層であることを特徴とする透明導電膜。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (37):
4F100AB24C
, 4F100AB31C
, 4F100AB40C
, 4F100AB40H
, 4F100AD04B
, 4F100AD04D
, 4F100AD05B
, 4F100AD05D
, 4F100AG00A
, 4F100AR00B
, 4F100AR00D
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10D
, 4F100BA13
, 4F100GB41
, 4F100JD08
, 4F100JG01
, 4F100JG05B
, 4F100JG05D
, 4F100JN01
, 4F100YY00C
, 4G059AA08
, 4G059AC12
, 4G059DA01
, 4G059DB02
, 4G059EA12
, 4G059EB04
, 4G059GA02
, 4G059GA04
, 4G059GA14
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB02
, 5G307FC09
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