マイクロ波集積回路装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176382
Publication number (International publication number)：1996097375
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【課題】チップサイズを増大させることなく大きな容量値のMIM容量あるいは大きなインダクタンス値のコイルを形成することができ、しかも回路特性を向上させることができるモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)を得る。【解決手段】ガリウム砒素やシリコン等の半導体基板の表面に能動素子を主とする集積回路を形成し、この半導体基板の裏面側から半導体基板を貫通して半導体基板の表面に形成された能動素子の電極端子あるいはアース端子にそれぞれ達する複数の溝を設け、これらの電極端子あるいはアース端子に接続するように基板の裏面側あるいは溝の内壁表面にMIM容量およびコイルを構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板の第1の主表面に形成された能動素子と、該半導体基板の第1の主表面とは異なる半導体基板の第2の主表面から、該第1の主表面に達する溝と、該溝の内壁側面および該第2の主表面の少なくとも一方の上に形成されたリアクタンス素子、とを具備することを特徴とするマイクロ波集積回路。

IPC (8)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 41/04 , H01L 23/12 301 , H01L 29/43 , H01P 1/00 , H01P 11/00 , H03F 3/60

FI (3)：

H01L 27/04 L , H01L 27/04 C , H01L 29/46 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-199862
特開平2-067752
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-011450 Applicant：沖電気工業株式会社

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