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J-GLOBAL ID:200903004765011044

有機半導体薄膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002324201
Publication number (International publication number):2004158710
Application date: Nov. 07, 2002
Publication date: Jun. 03, 2004
Summary:
【課題】高いキャリア移動度を有する有機半導体薄膜を提供する。また、高いキャリア移動度を有する有機半導体薄膜を低コスト且つ容易に形成することが可能な有機半導体薄膜の製造方法を提供する。さらに、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】有機半導体薄膜4を、結晶性低分子有機半導体化合物の結晶粒2と、その結晶粒2の間の隙間に介在する有機半導体成分3とで構成した。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
結晶性低分子有機半導体化合物の結晶粒を多数含有する有機半導体薄膜において、前記結晶粒の間の隙間に有機半導体成分を介在させ、前記結晶粒を接続したことを特徴とする有機半導体薄膜。
IPC (4):
H01L51/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5):
H01L29/28 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 627G
F-Term (39):
5F052DA10 ,  5F052DB05 ,  5F052HA03 ,  5F052JA02 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG31 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06
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Cited by applicant (9)
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