Pat

J-GLOBAL ID：200903004771973613

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 柳澤 正之 ,  小林 研
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183785
Publication number (International publication number)：1993013594
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクト孔内を上層配線の材料と同一の材料によって埋設するようにして、信頼性および平坦性の優れたコンタクトを形成する。【構成】 不純物領域307、308が基板の表面に形成され、基板上にn型多結晶シリコン層306、タングステンシリサイド層311等の下層配線が形成されたものに第1、第2のBPSG膜309、312を被着し、第2のコンタクト孔313を開孔する。第2のコンタクト孔313を埋設する多結晶シリコン層314を形成し[(a)図]、これをエッチバックして多結晶シリコンプラグ314aを形成し、アルミニウム層315を形成する[(b)図]。その後、還元性雰囲気中で熱処理を行って、アルミニウムとシリコンとを相互拡散させ、コンタクト孔内の導体および配線層をシリコン含有アルミニウムによって構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成された拡散層または半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1の導体層と、前記拡散層または前記第1の導体層を覆う絶縁層上に形成された、金属材料を主体とする第2の導体層とが、前記絶縁層に形成された、アスペクト比が1以上のコンタクト孔を介して接続されている半導体装置において、前記コンタクト孔が前記第2の導体層の材料と同等の材料によって埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205