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J-GLOBAL ID:200903004779704611

半導体ウェーハの切断方法及び切断装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998092821
Publication number (International publication number):1999274110
Application date: Mar. 20, 1998
Publication date: Oct. 08, 1999
Summary:
【要約】【目的】 ウェーハシートを用いずに、半導体ウェーハ1を真空チャックテーブル2のウェーハ載置面3にセットして前記ウェーハ1を切断用のブレード6で効率良く切断すると共に、前記ウェーハ1から切断されたチップ4を前記載置面3に各別に且つ確実に吸着することを目的とする。【構成】 前記ウェーハ載置面3に前記ウェーハ1のチップ部4に対応して各別に設けた矩形吸着口7で前記ウェーハ1を吸着固定すると共に、前記ウェーハ載置面3に前記ウェーハ1に設定されたストリート5に対応して設けたブレード6の逃げ溝11と前記ストリート5とを合致させ、切断用のブレード6で前記ストリート5に沿って切断することにより、前記ウェーハ1を所要複数個のチップ4に切断する。
Claim (excerpt):
半導体ウェーハを所要複数個のチップに切断するウェーハの切断装置を用いて該装置における真空チャックテーブルに前記ウェーハを載置して吸着固定すると共に、切断用のブレードで前記ウェーハに設定したストリートに沿って切断する半導体ウェーハの切断方法であって、前記真空チャックテーブル面に前記ストリートに対応してブレードの逃げ溝を設ける工程と、前記ウェーハの載置時に、前記ストリートと前記ブレードの逃げ溝とを合致させる工程と、前記チップ部の切断形状に沿って形成した開口周縁形状を有する吸着口にて前記チップ部を各別に吸着する工程とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの切断方法。
IPC (2):
H01L 21/301 ,  H01L 21/68
FI (2):
H01L 21/78 M ,  H01L 21/68 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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