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J-GLOBAL ID：200903004785237642

透過型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法

Inventor： 小浜 恵一
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991273981
Publication number (International publication number)：1993114482
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】発光層の母材として優れた発光効率が期待できるZnSを採用した場合、その優れた発光効率を充分に発揮できる透過型EL素子を容易に製造する。【構成】透明ガラス基板1上に、ZnO:Alの第1透明電極層2と、ZnOの第1絶縁層3と、ZnS:Mnの発光層4と、Y2 O3 の第2絶縁層5と、ZnO:Alの第2透明電極層6とを順次形成する。第1透明電極層2のZnOは(001)方向に強く配向され、第1絶縁層3のZnOはより強く同方向に配向される。ZnOと同一の結晶構造をもつZnSを母材とする発光層4は、ZnO結晶の影響を受け、より向上した結晶性の下で形成される。このため、第1絶縁層3と発光層4との界面付近に品質の悪い層が存在しにくく、発光層4の結晶粒も百数十μm以上に成長し、ZnSによる優れた発光効率を発揮する。

Claim (excerpt)：

透明基板上にZnOとAlとからなる第1透明電極層を形成する第1工程と、該第1透明電極層上にZnOからなる第1絶縁層を形成する第2工程と、該第1絶縁層上にZnSを母材とする発光層をスパッタリング法により400〜500°Cにて形成する第3工程と、該発光層上に第2絶縁層と第2透明電極層とを順次形成する第4工程と、を含むことを特徴とする透過型エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/28