Pat

J-GLOBAL ID：200903004786748152

化合物半導体の処理方法

Inventor： 出口 正洋 ,  横川 俊哉 ,  吉井 重雄 ,  鈴木 朝実良 ,  古屋 博之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001285421
Publication number (International publication number)：2003092270
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって第1の化合物半導体の価電子制御を行なう際、注入層内に残留/生成される欠陥を前記粒子照射された第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体層を積層する工程を付加することで補償/生成抑制する処理方法を提供する。【解決手段】 II族とVI族元素、あるいはIII族とV族元素、あるいはそれらの混晶で構成される化合物半導体からなる第1の化合物半導体層に対して価電子制御するための不純物元素を含む粒子を加速して照射する工程と、前記粒子照射された第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体層を積層する工程と、前記第2の化合物半導体層積層後、加熱処理する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

II族とVI族元素、あるいはIII族とV族元素、あるいはそれらの混晶で構成される化合物半導体の処理方法において、単層あるいは多層からなる第1の化合物半導体層に対して価電子制御するための不純物元素を含む粒子を加速して照射する工程と、前記粒子照射された第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体層を積層する工程と、前記第2の化合物半導体層積層後、加熱処理する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体の処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 601 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/425 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 21/265 601 A ,  H01L 21/425 ,  H01L 29/80 B

F-Term (13)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR10 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21