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J-GLOBAL ID:200903004798505310
当初のガス状混合物から軽い低純度ガスを浸透により製造する方法及び設備
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
八木田 茂 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992299641
Publication number (International publication number):1993261236
Application date: Nov. 10, 1992
Publication date: Oct. 12, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 少い投資で高に収率を達成することが可能な、ガス混合物から軽い低純度ガスを製造する方法と装置を提供する。【構成】 設備は、直列に取りつけられた2基の浸透装置(1,2)、すなわち一つの入口と二つの出口をもった単純浸透装置(1)及び還流浸透装置(2)を有する。製造ガスは二つの浸透ガスの合流によって構成される。低純度水素の製造に利用することができる。
Claim (excerpt):
-それぞれ処理すべきガス状混合物の高圧入口(A,D),廃ガスの高圧出口(B,E)及び浸透ガスの低圧出口(C,F)を有する二つの浸透段階(1,2)を有する浸透設備が用いられ、その第1段階(1)が、活動中の一つの入口と活動中の二つの出口、すなわち処理すべきガス状混合物の高圧入口(A),廃ガスの高圧出口(B)及び浸透ガスの低圧出口(C)をもった一つの単純浸透装置、もしくは直列及び/又は並列に取りつけられた複数の単純浸透装置(11 ,...,1n )で構成され、その第2段階(2)が、活動中の二つの入口と活動中の二つの出口、すなわち処理すべきガス状混合物の高圧入口(D),廃ガスの高圧出口(E),還流ガス状混合物の低圧入口(E)及び浸透ガスの低圧出口(F)をもった一つの還流浸透装置、もしくは直列及び/又は並列に取りつけられた複数の還流浸透装置(21 ,...,2p )で構成されており、-当初のガス状混合物が第1段階(1)の高圧入口(A)に導入され、-第1段階(1)の廃ガスが第2段階(2)の高圧入口(D)に導入され、-設備内で採取され、製品の軽い低純度ガスの含有量より少ない含有量の軽いガスを有する還流ガス状混合物が第2段階(2)の低圧入口(G)に導入され、-製品の軽い低純度ガスを構成するために二つの段階(1,2)の浸透ガスが合流されることを特徴とする、当初のガス状混合物から軽い低純度ガスを浸透により製造する方法。
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