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J-GLOBAL ID:200903004808628830

酸化物超伝導体薄膜接合素子およびその作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999100670
Publication number (International publication number):2000294842
Application date: Apr. 07, 1999
Publication date: Oct. 20, 2000
Summary:
【要約】【課題】 室温において高速動作することのできる、新しい酸化物超伝導体薄膜結合素子、およびこの酸化物超伝導体薄膜結合素子を再現性良く容易に作製することのできる、新しい作製方法を提供する。【解決手段】 Cuを構成成分として含有した酸化物超伝導体による接合素子であって、酸化物超伝導体はキャリアが局在している薄膜であり、互いに異なるキャリア密度を有する複数の層がこの薄膜内に存在している。
Claim 1:
Cuを構成成分として含有した酸化物超伝導体による接合素子であって、酸化物超伝導体はキャリアが局在している薄膜であり、互いに異なるキャリア密度を有する複数の層がこの薄膜内に存在していることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜接合素子。
IPC (2):
H01L 39/22 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA
FI (2):
H01L 39/22 ZAA D ,  G01R 33/035 ZAA
F-Term (15):
2G017AD31 ,  2G017AD34 ,  2G017AD39 ,  2G017AD52 ,  2G017AD66 ,  4M113AB15 ,  4M113AC21 ,  4M113AC45 ,  4M113AC46 ,  4M113AC50 ,  4M113AD36 ,  4M113AD63 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35

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