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J-GLOBAL ID：200903004813129176

パターン形成方法

Inventor： 平岡 俊郎 ,  浅川 鋼児
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001040617
Publication number (International publication number)：2002241532
Application date： Feb. 16, 2001
Publication date： Aug. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 溶媒への溶解性が良好で基板等に容易に塗布可能なブロックコポリマー又はグラフトコポリマーを用いて、10nm程度以下の微細なドメインサイズを有するミクロ相分離構造からなるパターンを形成し得る方法を提供する。【解決手段】 少なくとも1種のポリマー鎖が酸性基および塩基性基から選択される塩形成基を有するブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含む成形体を形成する工程、前記塩形成基を塩に変化させる工程、および、前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーにミクロ相分離構造を形成あるいは前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーに形成されたミクロ相分離構造を変化させる工程を具備するパターン形成方法である。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種のポリマー鎖が酸性基および塩基性基から選択される塩形成基を有するブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含む成形体を形成する工程、前記塩形成基を塩に変化させる工程、および前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーにミクロ相分離構造を形成あるいは前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーに形成されたミクロ相分離構造を変化させる工程を具備するパターン形成方法。

IPC (4)：

C08J 9/26 102 ,  G03F 7/004 521 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

C08J 9/26 102 ,  G03F 7/004 521 ,  G11B 5/84 Z ,  H01L 21/302 J

F-Term (35)：

2H025AA02 ,  2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BH05 ,  2H025CB42 ,  2H025CB47 ,  2H025FA39 ,  4F074AA33B ,  4F074AA48B ,  4F074AA53B ,  4F074CB04 ,  4F074CB06 ,  4F074CB17 ,  4F074CB91 ,  4F074CC32Y ,  4F074CC50 ,  4F074DA24 ,  4F074DA59 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112FA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA19 ,  5F004BB01 ,  5F004BB02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB01 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04