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J-GLOBAL ID：200903004817114637

半導体素子

Inventor： 杉浦 理砂 ,  西川 幸江 ,  小野村 正明 ,  斎藤 真司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995237468
Publication number (International publication number)：1997083079
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】動作電圧の低い半導体素子を提供する。【解決手段】n型GaAs半導体基板(11)、及びこの半導体基板(11)上に形成されたバッファ層(12)を有する。バッファ層(12)は1×108 cm-2以上の欠陥密度を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板、及びこの半導体基板上に形成された半導体層を有し、前記半導体層は少なくとも部分的に1×108 cm-2以上の欠陥密度を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A