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J-GLOBAL ID：200903004822120114

歪量子井戸レーザの製造方法

Inventor： 黒田 尚孝
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991000605
Publication number (International publication number)：1993007053
Application date： Jan. 08, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、ウエル層とバリア層の界面が原子層オーダーで急峻な界面となる歪量子井戸レーザの製造方法を提供することにある。【構成】水素プラズマビームを半導体基板表面に45°以下の低入射角度(約10°)で照射すると半導体基板表面の原子層オーダーでの凹凸のエッチングして平坦化することが可能となる。これは20eV程度の低エネルギーを有する水素プラズマ粒子の運動エネルギーにより半導体基板表面の凸部の1原子層のみが離脱し原子層オーダーの凹凸がエッチングされことによるものと考がえられる。これを歪量子井戸レーザのウエル層とバリア層の界面に応用する。すなわち、1.3μm組成の4元バリア層14及びInGaAsウエル層13を成長後、一度成長を中断し、30分間20eV程度の水素プラズマビームを照射し、界面を原子層オーダーで平坦化する。その結果ウエル厚が30オングストローム程度と薄くても歪みの効果がデバイス特性に充分に反映される。

Claim (excerpt)：

歪量子井戸構造で成る活性層を少なくとも含む半導体層を多層積層する結晶成長工程を少なくとも有する半導体レーザの製造方法に於て、活性層であるウエル層とバリア層の成長切り換え時に、成長層表面となす角度が45°以下の水素プラズマビームを成長層表面に照射する工程を含むことを特徴とする歪量子井戸レーザの製造方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00