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J-GLOBAL ID：200903004823587180

光変調素子材料

Inventor： 森川 尚 ,  明石 量磁郎
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992322206
Publication number (International publication number)：1994148608
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高密度、高感度、かつ安定性に優れ、しかも簡単な構成を有する光-光変調素子用の材料を提供する。この光変調素子材料を使用して、書き込まれたメモリーは非破壊的に読み出すことができる。【構成】 光変調素子材料は、側鎖に共有結合したフォトクロミック成分を有する側鎖型高分子液晶および低分子液晶の少なくとも二成分から構成されるか、または側鎖型高分子液晶、フォトクロミック化合物および低分子液晶の少なくとも三成分から構成される。側鎖型高分子液晶は、一軸方向に配向処理されているのが好ましい。光変調素子材料中の低分子液晶の含有量は1〜80重量%の範囲である。また、光変調素子材料におけるフォトクロミック化合物またはフォトクロミック成分の含有量は、0.1〜20重量%の範囲である。

Claim (excerpt)：

側鎖に共有結合したフォトクロミック成分を有する側鎖型高分子液晶および低分子液晶の少なくとも二成分からなり、高分子液晶組成物が一軸方向に配向処理されたことを特徴とする光変調素子材料。

IPC (3)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/1337 ,  G03C 1/73 503