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J-GLOBAL ID：200903004832144178

インダクタ素子、トランス素子およびバラン素子

Inventor： ▲よし▼川 嘉茂 ,  堀池 良雄 ,  横網代 義幸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996148804
Publication number (International publication number)：1997330816
Application date： Jun. 11, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 小さな面積で大きなインダクタンス値が得られるようにする。【解決手段】 多層基板の1つの導体層に形成されたスパイラル形状の第1のコイルパターン5と、他の導体層に形成された第1のコイルパターン5に相対し、かつ反対巻きの第2のコイルパターン6のそれぞれの内側の端をスルーホール7で接続して構成する。

Claim (excerpt)：

2層以上の導体層をもつ多層基板の第1の導体層にスパイラル形状の第1のコイルパターンを形成し、前記第1の導体層と対面する第2の導体層に前記第1のコイルパターンと反対巻きのスパイラル形状の第2のコイルパターンを形成し、前記第1のコイルパターンの内側の端と前記第2のコイルパターンの内側の端をスルーホールで接続して構成したインダクタ素子。

IPC (2)：

H01F 17/00 ,  H01F 19/00

FI (3)：

H01F 17/00 B ,  H01F 17/00 D ,  H01F 19/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-137503
  
• 薄膜トランス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244786   Applicant：富士電機株式会社