超電導素子

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003042997
Publication number (International publication number)：2004253645
Application date： Feb. 20, 2003
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

【課題】配線部分のインダクタンスを低減するとともに接合間におけるIcの分散を抑制して、良好な特性を示す超電導素子を提供する。【解決手段】基板と、基板上に積層されてジョセフソン接合を形成する、酸化物超電導体の下部電極層、絶縁性のバリア層、および酸化物超電導体の上部電極層とを含み、前記上部電極層が、下記式(A)で表され、組成が連続的に変化している初期成長層と、下記式(B)で表される組成を有する主成長層とYbBa2CuwOy ...(A)YbBa2Cu3Oy’ ...(B)(ここで、3.0<w≦3.45、6≦y≦8、6≦y’≦8である。)を有する超電導素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、基板上に積層されてジョセフソン接合を形成する、酸化物超電導体の下部電極層、絶縁性のバリア層、および酸化物超電導体の上部電極層とを含み、前記上部電極層が、下記式(A)で表され、組成が連続的に変化している初期成長層と、下記式(B)で表される組成を有する主成長層と YbBa2CuwOy ...(A) YbBa2Cu3Oy’ ...(B) (ここで、3.0<w≦3.45、6≦y≦8、6≦y’≦8である。) を有することを特徴とする超電導素子。

IPC (2)：

H01L39/22 , H01L39/24

FI (2)：

H01L39/22 A , H01L39/24 J

F-Term (16)：

4M113AA06 , 4M113AA16 , 4M113AA25 , 4M113AA37 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113AD39 , 4M113AD42 , 4M113BA04 , 4M113BA07 , 4M113BA11 , 4M113BA15 , 4M113BB07 , 4M113BC07 , 4M113BC22 , 4M113CA34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

酸化物超電導接合の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-110885 Applicant：三菱電機株式会社
銅酸化物超伝導薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009389 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-015966

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