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J-GLOBAL ID：200903004847319560

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

Inventor： 榎元 香津子 ,  佐藤 辰雄 ,  岡島 徳明
Applicant, Patent owner： 東芝ケミカル株式会社
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993255276
Publication number (International publication number)：1995090049
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 本発明は、(A)連鎖結合のメチレン結合の水素原子をグリシジルオキシアリール基で置換したノボラック型エポキシ樹脂、(B)テルペン骨格を持ったフェノール樹脂、(C)BAPP型ポリイミド樹脂、および(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%含有してなるエポキシ樹脂組成物である。またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップが封止されてなる半導体封止装置である。【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することができる。

Claim (excerpt)：

(A)次の一般式で示されるエポキシ樹脂、【化1】(但し、式中R1 はCj H2j+1基を、R2 はCk H2k+1基を、R3 はCl H2l+1基を、R4 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 、l 、m 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(B)次の一般式で示されるテルペンフェノール樹脂、【化2】(但し、式中R5 はCj H2j+1基を、R6 はCk H2k+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(C)次の一般式で示されるポリイミド樹脂および【化3】(但し、式中R7 はCl H2l+1基を、R8 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるl 、m は 0又は 1以上の整数を表す)(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (6)：

C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/40 NKG ,  C08G 59/62 NJR ,  C08L 63/00 NJS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31