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J-GLOBAL ID：200903004848320316

メモリー素子

Inventor： 榊間 博 ,  入江 庸介 ,  川分 康博 ,  里見 三男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995294410
Publication number (International publication number)：1997139069
Application date： Nov. 13, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗素子部の数が増加した場合であっても、読み出し出力の信号対雑音比S/Nが劣化することのないメモリー素子を提供する。【解決手段】 各メモリー素子構成要素の磁気抵抗素子部Ri,j を、縦横マトリックス状に配置された情報読み出し用のセンス線Si 、Sj に独立に接続する。また、磁気抵抗素子部Rの近傍に、情報を書き込むための磁界を発生させるワード線を絶縁膜を介して設ける。

Claim (excerpt)：

抵抗の変化によって情報が書き込まれる磁気抵抗素子部と、前記磁気抵抗素子部の近傍に絶縁膜を介して設けられた導体からなる情報書き込み用のワード線と、情報読み出し用のセンス線とを備えたメモリー素子構成要素を縦横マトリックス状に配置したメモリー素子であって、前記各メモリー素子構成要素の磁気抵抗素子部が縦横方向に配置されたセンス線に独立に接続されていることを特徴とするメモリー素子。