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J-GLOBAL ID：200903004849047443

半導体の製造方法

Inventor： 倉又 朗人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118276
Publication number (International publication number)：1996316151
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 窒素化合物半導体の化学気相堆積法に関し,成長温度を低くしかつアンモニア使用効率を向上する。【構成】 窒素を含む化合物半導体の製造方法において,アンモニア及び窒素有機化合物を含む反応ガスを用いる。窒素有機化合物は,ターシャリブチルアミン又はジメチルヒドラジンを含めたアミン化合物又はアルキルヒドラジンとすることができる。

Claim (excerpt)：

化学気相堆積法による窒素を含む化合物半導体の製造方法において,アンモニア及び窒素有機化合物を含む反応ガスを用いることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18