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J-GLOBAL ID：200903004852022745

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 藤井 隆行
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242770
Publication number (International publication number)：1993055266
Application date： Aug. 27, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 逆耐圧が高く、ゲート・ソース間容量の少ない微細ゲート電極を形成する。【構成】 n型GaAs層2上にノンドープGaAs層3を形成し、ノンドープGaAs層3のリセスにゲート電極6aを形成し、このゲート電極6aをマスクとしてイオン注入を行い、ゲート電極6a側面にノンドープGaAs層3を残存させて高濃度n層7を形成する。

Claim (excerpt)：

不純物が注入された半導体層上に、ショットキ接触するゲート電極と、オーム性接触するソース及びドレイン電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、上記半導体層上に形成され、リセスを有する第2の不純物注入半導体層と、該第2の不純物注入半導体層のリセス側壁に形成されたノンドープ半導体層と、該ノンドープ半導体層に接するとともに、上記リセス底面の上記半導体層に接触するゲート電極とを備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/265 V