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J-GLOBAL ID：200903004857185901

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 井上 康太郎 ,  廣沢 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013526
Publication number (International publication number)：1994232353
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】製造工程の途中でのウェハの反り、金属シリサイド膜の剥れなどを防止し得る半導体ウェハを提供する。【構成】半導体ウェハ面内のチップ領域には配線用の金属シリサイド膜および多結晶シリコン膜が積層状態で存在し、チップ領域が形成されないウェハ周辺領域には上記金属シリサイド膜が存在しないことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ面内のチップ領域上には配線用の多結晶シリコン膜および金属シリサイド膜が積層状態で存在し、チップ領域が形成されないウェハ周辺領域には上記金属シリサイド膜が存在しないことを特徴とする半導体装置。