Pat
J-GLOBAL ID：200903004857772351
レーザー処理方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173709
Publication number (International publication number)：1994124913
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 レーザーアニールによってIV族元素被膜の活性化をおこなうための最適な条件を提供する。【構成】 絶縁基板上に形成され、高エネルギーのイオン照射によって結晶性の損なわれたシリコン等の被膜をエキシマーレーザー等のパルスレーザーによって活性化する際に、レーザーのエネルギー密度をE〔mJ/cm2 〕、レーザーパルスのショット数をN〔回〕とするときに、log10N≦-0.02(E-350)となるように、レーザーのエネルギー密度とショット数を設定する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に、形成されたIV族元素を主成分とし、高エネルギーの不純物イオンを照射された被膜に波長400nm以下、パルス幅50nsec以下のパルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール方法において、該被膜上には厚さ3〜300nmの酸化珪素を主たる成分とする被膜が形成されていることと、照射されるレーザーのエネルギー密度E〔mJ/cm2 〕と照射パルス数Nの間に、log10N≦-0.02(E-350)の関係を有することを特徴とするレーザー処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/268
, H01L 21/265
, H01S 3/097
H01L 21/265 B
, H01S 3/097 Z
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
