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J-GLOBAL ID：200903004880799399

シリサイドの成膜方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147812
Publication number (International publication number)：1993343402
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 成膜初期にメタルリッチなシリサイドが形成されることなく面内で均一なシリサイド膜を得る。【構成】 ポリシリコン膜4上に、窒化チタン膜5を介在して、WSiX膜6を形成したことにより、WSiXの成膜ガスであるWF6に電子を供与することがなく、そのためFの解離が起らない。このため、W核の形成も起らずWリッチなWSiX膜を形成されず、WF6+SiH2Cl2の反応で形成されWSiX核が面内にて均一に成長する。

Claim (excerpt)：

ポリシリコン膜上にシリサイド膜を形成するシリサイドの成膜方法において、少なくともシリサイド膜とポリシリコン膜の間に、低抵抗且つ電気陰性度の大きい材料でなる中間層を介在させることを特徴とするシリサイドの成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 301 G