ドライエッチング方法及び装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊沢敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995035935
Publication number (International publication number)：1996213370
Application date： Feb. 01, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Siシリサイド等のSi系材料をドライエッチングする方法及び装置において、パーティクルを低減する。【構成】 ECR(又はマイクロ波)プラズマエッチング装置において、処理室10内の防着板12の一部にプラズマに接触するように密着層形成材24を設ける。形成材24としては、W等の高融点金属又はそのシリサイドを用いる。フォトレジスト層を形成したウエハ16を試料台14にセットした後、プラズマ処理(エージング)を行なうと、反応室10bの内壁にWCl5 ,WCl6 及びレジスト成分等を含む低硬度の密着層が形成される。この密着層は、エージング後のSi系材料のエッチング時にSiのハロゲン化酸化物が処理室内壁からはがれてパーティクルとなるのを防ぐ。形成材はウエハから供給してもよく、レジスト成分はガスから供給してもよい。

Claim (excerpt)：

処理室内でプラズマ処理によりエージングを行なった後、該処理室内でプラズマ処理によりシリコン系材料のエッチングを行なうドライエッチング方法であって、前記エージングでは、前記処理室の内壁に、該内壁の構成材料及びシリコンのハロゲン化酸化物のいずれよりも低硬度の密着層を形成することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-236484
スパッタエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-209104 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-188725

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