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J-GLOBAL ID：200903004890778004

ダイヤモンド半導体装置およびその製造方法

Inventor： 西林 良樹 ,  鹿田 真一 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992082480
Publication number (International publication number)：1993283361
Application date： Apr. 03, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ダイヤモンドと金属あるいは導電材料との接触抵抗の低いオーミック接合を得る。【構成】 p型ダイヤモンド基板4の一方の表面上には、ショットキー電極3が形成されている。また、このP型ダイヤモンド基板4の他方の表面上には、p+ダイヤモンド層1が形成されている。このp+ ダイヤモンド層1の表面上には、凹凸が形成されている。この凹凸は、高低差が100μmの距離に対して100Åを越え10000Å以下である。この凹凸が形成されたp+ ダイヤモンド層1の表面上には、オーミック電極2が形成されている。

Claim (excerpt)：

少なくとも主表面がダイヤモンドからなり、その主表面に凹凸が形成された基板と、前記基板の主表面に形成された導電領域と、前記導電領域と接するように形成された導電層とを備え、前記凹凸の高低差が100μmの距離に対して100Åを越え10000Å以下であることを特徴とする、ダイヤモンド半導体装置

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812