SiGe膜の形成方法とヘテロ接合トランジスタの製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志賀正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000138994
Publication number (International publication number)：2001319935
Application date： May. 11, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 SiGe膜の形成方法とヘテロ接合トランジスタの製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、絶縁膜上のSiGe膜が荒れることを防いで膜質及び膜抵抗を改善すること。【解決手段】絶縁膜6上にSiGe膜8を形成する方法であって、前記絶縁膜上に第1のSi<SB>(1-x)</SB>Ge<SB>x</SB>膜9(0≦x<0.05)を形成するバッファ形成工程と、前記第1のSi<SB>(1-x)</SB>Ge<SB>x</SB>膜上に第2のSi<SB>(1-y)</SB>Ge<SB>y</SB>膜10(0.05≦y<1)を形成する主膜形成工程とを備え、前記バッファ形成工程は、前記第1のSi<SB>(1-x)</SB>Ge<SB>x</SB>膜を0.5nm以上5nm以下の厚さ範囲で成膜する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上にSiGe膜を形成する方法であって、前記絶縁膜上に第1のSi<SB>(1-x)</SB>Ge<SB>x</SB>膜(0≦x<0.05)を形成するバッファ形成工程と、前記第1のSi<SB>(1-x)</SB>Ge<SB>x</SB>膜上に第2のSi<SB>(1-y)</SB>Ge<SB>y</SB>膜(0.05≦y<1)を形成する主膜形成工程とを備え、前記バッファ形成工程は、前記第1のSi<SB>(1-x)</SB>Ge<SB>x</SB>膜を0.5nm以上5nm以下の厚さ範囲で成膜することを特徴とするSiGe膜の形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/165

FI (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 301 Z , H01L 29/165 , H01L 29/72 , H01L 21/88 P

F-Term (51)：

4M104AA01 , 4M104AA07 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104FF13 , 4M104HH16 , 5F003BB00 , 5F003BB02 , 5F003BB04 , 5F003BB05 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BB90 , 5F003BC08 , 5F003BE08 , 5F003BF06 , 5F003BH18 , 5F003BH99 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F003BP33 , 5F003BP94 , 5F003BP97 , 5F033HH03 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033PP03 , 5F033PP09 , 5F033VV06 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033XX10 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE27 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF08 , 5F045CA02 , 5F045DA53 , 5F045DA57

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-144582 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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