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J-GLOBAL ID：200903004899239440

結晶成長方法

Inventor： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039444
Publication number (International publication number)：1995249831
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 AlGaInN系のエピタキシャル結晶にファブリ・ペロ・キャビテイを形成する結晶成長方法を提供することにある。【構成】 サファイアAl2O3の(0001)基板結晶11の上に有機金属とアンモニアを用いてn型GaN層12を成長し,その表面に薄膜13を被着したのち,該薄膜を該基板結晶の〔1-100〕または〔11-20〕方向に長い長方形に除去し,その開口部にAlGaInN系の結晶から成るダブル・ヘテロ構造14〜16を成長せしめ,しかる後にアンモニアの代わりにヒドラジン誘導体をもちいて,より低温でさらにAlGaInN系の結晶18を成長する。【効果】 結晶格子で規定された良好なキャビテイが得られる。

Claim (excerpt)：

サファイアAl2O3の(0001)基板結晶の上に有機金属とアンモニアを用いてn型GaNを成長し,その表面に薄膜を被着したのち,該薄膜を該基板結晶の〔1-100〕または〔11-20〕方向に長い長方形に除去し,その開口部にAlGaInN系の結晶から成るダブル・ヘテロ構造を成長せしめ,しかる後にアンモニアの代わりにヒドラジン誘導体をもちいて,さらにAlGaInN系の結晶を成長することを特徴とする結晶成長方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205