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J-GLOBAL ID：200903004916225181

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
松村 和彦

About 松村 和彦

, 
中野 高宏

About 中野 高宏


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (4)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005313598
Publication number (International publication number)：2007123545
Application date： Oct. 28, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：
【課題】2個の半導体パッケージを半田ボールを介して接続する際に、半導体パッケージに生じた反りにより、その接続部での信頼性が低下するのを防止し得る半導体装置を提供する。【解決手段】それぞれ配線基板1,11の表面に半導体素子3,13が配置されてなる2個の半導体パッケージ6,16を、各配線基板の対向する面にそれぞれ複数設けられた上下部の接続電極4,14同士間に配置される半田ボール18を介して、積層してなる半導体装置であって、両配線基板同士を積層する際に、当該配線基板の反りにより両配線基板間の距離(隙間)が短くなる箇所における、すなわち一方の配線基板1に配置された外側列の下部接続電極4Bに凹状部4bを形成したものである。【選択図】図1
Claim 1：
それぞれ配線基板の表面に半導体素子が配置されてなる2個の半導体パッケージを、各配線基板の対向する面にそれぞれ複数設けられた接続電極同士間に配置される導電性突起電極を介して、積層してなる半導体装置であって、 上記両配線基板同士を積層する際に、当該配線基板の反りにより両配線基板間の距離が短くなる箇所における、上記一方の配線基板に配置された接続電極に凹状部を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18
FI (1)：
H01L25/14 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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