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J-GLOBAL ID：200903004919607930

可撓性薄膜光電変換素子

Inventor： ▲はま▼ 敏夫 ,  加藤 進二
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993108617
Publication number (International publication number)：1994232437
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラスチックフィルムを基板とする可撓性薄膜光電変換素子の光電変換層への入射光の増加、直列抵抗の減少および耐久性の向上を図る。【構成】基板の光入射側の面をSiN膜あるいはSiOx 膜で覆うことにより、表面にプラスチックが露出している場合にくらべて光の反射率が低下して変換効率が上昇し、また紫外線を吸収することによって紫外線によるフィルムの変質を防止し、さらに湿気の侵入を抑える。また、基板と透明電極の間にSiN膜あるいはSiOx 膜を介在させることにより、プラスチックフィルムから透明電極へ拡散する不純物をブロックし、その不純物による透明電極のシート抵抗の上昇を抑える。

Claim (excerpt)：

透光性で絶縁性のプラスチックフィルム上に透明電極、アモルファスシリコン光電変換層、裏面電極を順次積層してなるものにおいて、プラスチックフィルムの反透明電極側の面がプラスチックフィルムの屈折率より低い屈折率を有するけい素化合物膜によって覆われたことを特徴とする可撓性薄膜光電変換素子。

FI (2)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 M